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本申請?zhí)峁┮环N活動(dòng)平臺及化學(xué)氣相沉積裝置，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，為解決現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積裝置沉積出的薄膜往往質(zhì)量不高的問題而發(fā)明，該活動(dòng)平臺應(yīng)用于化學(xué)氣相沉積裝置，包括調(diào)節(jié)裝置和沉積臺，所述調(diào)節(jié)裝置固定在所述化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室的頂部，所述沉積臺連接在所述調(diào)節(jié)裝置上，所述調(diào)節(jié)裝置用于調(diào)節(jié)所述沉積臺在所述反應(yīng)室內(nèi)的位置。該活動(dòng)平臺利用調(diào)節(jié)裝置可以靈活的調(diào)節(jié)沉積臺在化學(xué)氣相沉積裝置的反應(yīng)室內(nèi)的位置，以適應(yīng)不同的薄膜材料在沉積臺上的不同的生長特性，進(jìn)而可以沉積出均一性更好，質(zhì)量更高的薄膜。