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本發(fā)明公開(kāi)了一種多級(jí)阻變存儲(chǔ)器及制備方法，其中，多級(jí)阻變存儲(chǔ)器從下至上包括：剛性基底、底電極、ZnSe/ZnS核殼量子點(diǎn)阻變層、頂電極。本發(fā)明采用ZnSe/ZnS核殼量子點(diǎn)薄膜單獨(dú)作為阻變層，ZnSe和ZnS的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)和最低未占分子軌道(LUMO)的能量存在一定的差異，因此在兩端施加偏壓時(shí)需要克服兩次不同能量大小的肖特基結(jié)勢(shì)壘，使得基于核殼結(jié)構(gòu)的ZnSe/ZnS量子點(diǎn)的阻變存儲(chǔ)器具有多個(gè)組態(tài)，本發(fā)明的多級(jí)阻變存儲(chǔ)器具有高存儲(chǔ)密度、高穩(wěn)定性、低功耗且適于高度集成等優(yōu)點(diǎn)，具有良好的應(yīng)用前景，能廣泛應(yīng)用于生活中多個(gè)領(lǐng)域。

方法過(guò)程>其它方法過(guò)程>高度集成; 計(jì)算控制>存儲(chǔ)器>多電平可變電阻存儲(chǔ)器