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本發(fā)明公開了一種阻變存儲器的機(jī)理的研究方法，包括：步驟A、提供阻變存儲器中所用的活性層材料，將所述活性層材料在基底上制作成薄膜；步驟B、將AFM調(diào)至接觸模式下，利用導(dǎo)電原子力探針對所述薄膜的表面進(jìn)行載流子的注入，形成載流子注入?yún)^(qū)；步驟C、將AFM原位切換至表面電勢測量模式，在保護(hù)氣氛中對包含所述載流子注入?yún)^(qū)的區(qū)域進(jìn)行連續(xù)的掃描，得到掃描區(qū)域的表面電勢圖，根據(jù)所述表面電勢圖評估載流子在所述活性層材料中的行為能力。本發(fā)明是基于原位進(jìn)行載流子注入、連續(xù)掃描，進(jìn)而評估載流子在活性材料中的注入、遷移和保留的能力，進(jìn)而可以判斷阻變行為是否是由活性層對電荷的俘獲/釋放所引起，檢測結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

方法過程>其它方法過程>研究方法; 疾病>神經(jīng)系統(tǒng)疾病>電阻變化記憶機(jī)制