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本發(fā)明公開(kāi)了一種低相變溫度二氧化釩薄膜的制備工藝。具體為采用直流反應(yīng)磁控濺射技術(shù)，以非摻雜的金屬釩為靶材，襯底為K9玻璃、硅片或其他類型材料，以高純氧氣和氬氣為反應(yīng)氣體和濺射氣體。首先將真空室抽至1.0～8.0×10-4Pa本底真空，然后通入一定量的氧氣和氬氣，使氧分壓為(6-12％)，工作真空為0.5Pa，在一定襯底溫度下濺射V靶在襯底形成薄膜，濺射功率為100-140W，將沉積在襯底表面的膜冷卻到室溫，然后在400～600°C Ar氣氛下進(jìn)行熱處理100-120分鐘，生成高質(zhì)量低相變溫度的二氧化釩薄膜。該發(fā)明具有不摻雜、工藝簡(jiǎn)單、二氧化釩薄膜相變溫度低、及相變點(diǎn)可調(diào)節(jié)的特點(diǎn)。

方法過(guò)程>制備方法>制備; 材料制品>膜材>低溫相變二氧化釩薄膜